IXYH75N65C3D1 Todos los transistores

 

IXYH75N65C3D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXYH75N65C3D1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 750 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 175 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 65 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 330 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 122 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXYH75N65C3D1 Datasheet (PDF)

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IXYH75N65C3D1

Preliminary Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH75N65C3D1IC110 = 75AGenX3TM w/ Diode VCE(sat) 2.3V tfi(typ) = 60nsExtreme Light Punch throughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 6

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IXYH75N65C3D1

Preliminary Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH75N65C3H1IC110 = 75AGenX3TM w/ Sonic VCE(sat) 2.3V Diodetfi(typ) = 50nsExtreme Light Punch throughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE =

 3.2. Size:233K  ixys
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IXYH75N65C3D1

VCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH75N65C3IC110 = 75AGenX3TM VCE(sat) 2.3V tfi(typ) = 60nsExtreme Light Punch throughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VVGES Continuous 20 VGC TabVGEM

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History: MMG200D120B6UC | BSM50GP60

 

 
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