RGT40TS65D Todos los transistores

 

RGT40TS65D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RGT40TS65D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 72 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 45 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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RGT40TS65D PDF specs

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RGT40TS65D

RGT40TS65D 650V 20A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 20A VCE(sat) (Typ.) 1.65V PD 144W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Built i... See More ⇒

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RGT40TS65D

RGT40NS65D 650V 20A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline LPDS (TO-263S) VCES 650V (2) IC(100 C) 20A VCE(sat) (Typ.) 1.65V (1) (3) PD 161W lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FR... See More ⇒

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History: MG1275S-BA1MM

 

 
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