RGT40TS65D Todos los transistores

 

RGT40TS65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RGT40TS65D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 72 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 45 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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RGT40TS65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:743K  rohm
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RGT40TS65D

RGT40TS65D 650V 20A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)20AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD144W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built i

 9.1. Size:805K  rohm
 rgt40ns65d.pdf pdf_icon

RGT40TS65D

RGT40NS65D 650V 20A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline LPDS (TO-263S)VCES650V(2) IC(100C)20AVCE(sat) (Typ.)1.65V(1) (3) PD161WlFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FR

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