RGT50TS65D Todos los transistores

 

RGT50TS65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RGT50TS65D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 87 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 32 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 56 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 49 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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RGT50TS65D Datasheet (PDF)

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RGT50TS65D

RGT50TS65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD174W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built i

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RGT50TS65D

RGT50NS65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline LPDS / TO-262VCES650V(2) IC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.65V(1) (3) PD194W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft

 9.2. Size:1207K  rohm
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RGT50TS65D

RGT50NL65D650V 25A Field Stop Trench IGBT DatasheetOutline LPDL (TO-263L)VCES650V(2)IC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.65V(1)(3)PD194WFeatures Inner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2)(1) Gate2) Low Switching Loss(2) Collector*13) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter(1)4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1

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