RGT50TS65D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RGT50TS65D  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 87 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 32 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 56 pF

Encapsulados: TO247

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RGT50TS65D datasheet

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RGT50TS65D

RGT50TS65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 25A VCE(sat) (Typ.) 1.65V PD 174W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Built i

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RGT50TS65D

RGT50NS65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline LPDS / TO-262 VCES 650V (2) IC(100 C) 25A VCE(sat) (Typ.) 1.65V (1) (3) PD 194W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft

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RGT50TS65D

RGT50NL65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Datasheet Outline LPDL (TO-263L) VCES 650V (2) IC(100 C) 25A VCE(sat) (Typ.) 1.65V (1) (3) PD 194W Features Inner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1

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