RGTH50TS65 Todos los transistores

 

RGTH50TS65 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RGTH50TS65
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 87 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 38 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 57 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 49 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

RGTH50TS65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  rohm
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RGTH50TS65

RGTH50TS65 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD174W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) High Speed Switching(2) Collector 3) Low Switching Loss & Soft Switching (1) (3) Emitter 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant(3) lApplica

 0.1. Size:742K  rohm
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RGTH50TS65

RGTH50TS65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)25AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD174W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) High Speed Switching(2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Bui

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: MWI50-12E6K | FGH40N65UFDTU | MSG80N350FH | FGD3N60UNDF

 

 
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