RGTH60TS65 Todos los transistores

 

RGTH60TS65 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RGTH60TS65
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 97 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 66 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 58 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

RGTH60TS65 Datasheet (PDF)

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RGTH60TS65

RGTH60TS65 650V 30A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)30AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD194W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) High Speed Switching(2) Collector 3) Low Switching Loss & Soft Switching (1) (3) Emitter 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant(3) lApplica

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RGTH60TS65

RGTH60TS65DGC13 650V 30A Field Stop Trench IGBT DatasheetlOutline TO-247GEVCES650VIC(100C)30AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD194W(1)(2)(3)lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2)(1) Gate2) High Speed Switching(2) Collector*13) Low Switching Loss & Soft Switching(3) Emitter(1)4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built

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RGTH60TS65

RGTH60TS65D 650V 30A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)30AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD194W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) High Speed Switching(2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Bui

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