RGTH60TS65 Todos los transistores

 

RGTH60TS65 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RGTH60TS65

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 97 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 66 pF

Encapsulados: TO247

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RGTH60TS65 datasheet

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RGTH60TS65

RGTH60TS65 650V 30A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 30A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 194W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector 3) Low Switching Loss & Soft Switching (1) (3) Emitter 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant (3) lApplica

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RGTH60TS65

RGTH60TS65DGC13 650V 30A Field Stop Trench IGBT Datasheet lOutline TO-247GE VCES 650V IC(100 C) 30A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 194W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Built

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RGTH60TS65

RGTH60TS65D 650V 30A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 30A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 194W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Bui

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