RGTH60TS65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RGTH60TS65D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 97 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 66 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 58 nC
Paquete / Cubierta: TO247
- Selección de transistores por parámetros
RGTH60TS65D Datasheet (PDF)
rgth60ts65d.pdf

RGTH60TS65D 650V 30A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)30AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD194W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) High Speed Switching(2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Bui
rgth60ts65dgc13.pdf

RGTH60TS65DGC13 650V 30A Field Stop Trench IGBT DatasheetlOutline TO-247GEVCES650VIC(100C)30AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD194W(1)(2)(3)lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2)(1) Gate2) High Speed Switching(2) Collector*13) Low Switching Loss & Soft Switching(3) Emitter(1)4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built
rgth60ts65.pdf

RGTH60TS65 650V 30A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)30AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD194W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) High Speed Switching(2) Collector 3) Low Switching Loss & Soft Switching (1) (3) Emitter 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant(3) lApplica
Otros transistores... RGT8NS65D , RGTH00TS65 , RGTH00TS65D , RGTH40TS65 , RGTH40TS65D , RGTH50TS65 , RGTH50TS65D , RGTH60TS65 , FGH40N60UFD , RGTH80TS65 , RGTH80TS65D , RJP4007ANS , HIA20N60BP , HIA30N60BP , HIH20N60BP , HIH25N120TN , HIH30N120TF .
History: IXGT24N60C | MGP7N60ED | MGP15N35CL | MGP15N60U | IXGT15N120CD1
History: IXGT24N60C | MGP7N60ED | MGP15N35CL | MGP15N60U | IXGT15N120CD1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors