RGTH60TS65D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RGTH60TS65D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 97 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 66 pF
Encapsulados: TO247
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RGTH60TS65D datasheet
rgth60ts65d.pdf
RGTH60TS65D 650V 30A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 30A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 194W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Bui
rgth60ts65dgc13.pdf
RGTH60TS65DGC13 650V 30A Field Stop Trench IGBT Datasheet lOutline TO-247GE VCES 650V IC(100 C) 30A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 194W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Built
rgth60ts65.pdf
RGTH60TS65 650V 30A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 30A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 194W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector 3) Low Switching Loss & Soft Switching (1) (3) Emitter 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant (3) lApplica
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History: IXYA20N65B3
History: IXYA20N65B3
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