RGTH60TS65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RGTH60TS65D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 97 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 66 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 58 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de RGTH60TS65D - IGBT
RGTH60TS65D Datasheet (PDF)
rgth60ts65d.pdf
RGTH60TS65D 650V 30A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)30AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD194W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) High Speed Switching(2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Bui
rgth60ts65dgc13.pdf
RGTH60TS65DGC13 650V 30A Field Stop Trench IGBT DatasheetlOutline TO-247GEVCES650VIC(100C)30AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD194W(1)(2)(3)lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2)(1) Gate2) High Speed Switching(2) Collector*13) Low Switching Loss & Soft Switching(3) Emitter(1)4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built
rgth60ts65.pdf
RGTH60TS65 650V 30A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)30AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD194W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) High Speed Switching(2) Collector 3) Low Switching Loss & Soft Switching (1) (3) Emitter 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant(3) lApplica
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2