RGTH80TS65D Todos los transistores

 

RGTH80TS65D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RGTH80TS65D

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 117 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 85 pF

Encapsulados: TO247

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RGTH80TS65D datasheet

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RGTH80TS65D

RGTH80TS65D 650V 40A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 40A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 234W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Bui

 4.1. Size:653K  rohm
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RGTH80TS65D

RGTH80TS65 650V 40A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 40A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 234W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector 3) Low Switching Loss & Soft Switching (1) (3) Emitter 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant (3) lApplica

Otros transistores... RGTH00TS65D , RGTH40TS65 , RGTH40TS65D , RGTH50TS65 , RGTH50TS65D , RGTH60TS65 , RGTH60TS65D , RGTH80TS65 , FGH40N60SFD , RJP4007ANS , HIA20N60BP , HIA30N60BP , HIH20N60BP , HIH25N120TN , HIH30N120TF , HIH30N60BP , HIL40N120TF .

 

 

 


 
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