RGTH80TS65D Todos los transistores

 

RGTH80TS65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RGTH80TS65D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 117 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 85 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 79 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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RGTH80TS65D Datasheet (PDF)

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RGTH80TS65D

RGTH80TS65D 650V 40A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)40AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD234W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) High Speed Switching(2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Bui

 4.1. Size:653K  rohm
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RGTH80TS65D

RGTH80TS65 650V 40A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)40AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD234W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) High Speed Switching(2) Collector 3) Low Switching Loss & Soft Switching (1) (3) Emitter 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant(3) lApplica

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History: HGT1S5N120BNDS

 

 
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