SKM100GAL12T4 Todos los transistores

 

SKM100GAL12T4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM100GAL12T4
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 160 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 47 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 400 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 565 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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SKM100GAL12T4 Datasheet (PDF)

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SKM100GAL12T4

SKM100GAL12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 160 ATj = 175 CTc =80C 123 AICnom 100 AICRM ICRM = 3xICnom 300 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 2tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 121 ATj = 175 CSKM100GAL12T

 3.1. Size:554K  semikron
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SKM100GAL12T4

 6.1. Size:564K  semikron
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SKM100GAL12T4

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SKM100GAL12T4

SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesIGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 1700 VVCGR RGE = 20 k 1700 V SKM 100 GAX 173 D 6)IC Tcase = 25/80 C 110 / 75 ASKM 100 GAY 173 D 6)ICM Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 220 / 150 AVGES 20 VPtot per IGBT/Diode, Tcase = 25 C 625 / 310 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 4000 Vhumidity DIN 40 04

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History: TA49051

 

 
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