SKM150GAL12V Todos los transistores

 

SKM150GAL12V - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM150GAL12V
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 231 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 32 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 890 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 1650 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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SKM150GAL12V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:529K  semikron
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SKM150GAL12V

SKM150GAL12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 231 ATj = 175 CTc =80C 176 AICnom 150 AICRM ICRM = 3xICnom 450 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 2tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 189 ATj = 175 CSKM150GAL12VTc =80C 141 AIFno

 3.1. Size:729K  semikron
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SKM150GAL12V

SKM150GAL12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 232 ATj = 175 CTc =80C 179 AICnom 150 AICRM ICRM = 3xICnom 450 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 2tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 189 ATj = 175 CSKM150GAL12T4

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SKM150GAL12V

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SKM150GAL12V

SKM150GAR12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 232 ATj = 175 CTc =80C 179 AICnom 150 AICRM ICRM = 3xICnom 450 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS2tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 189 ATj = 175 CSKM150GAR12T4Tc =80

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History: T2400GB45E | SKM100GB12V | MG12450WB-BN2MM | SPT40N120F1AT8TL | BG200B12UY3-I | MG100HF12MRC1 | SPT25N120U1

 

 
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