SG20N12DT Todos los transistores

 

SG20N12DT IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SG20N12DT

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 90 pF

Encapsulados: TO247AD

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SG20N12DT datasheet

 ..1. Size:112K  sirectifier
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SG20N12DT

SG20N12T, SG20N12DT Discrete IGBTs Dimensions TO-247AD Dim. Millimeter Inches Min. Max. Min. Max. A 19.81 20.32 0.780 0.800 B 20.80 21.46 0.819 0.845 C 15.75 16.26 0.610 0.640 E G=Gate, C=Collector, D 3.55 3.65 0.140 0.144 C(TAB) C E=Emitter,TAB=Collector G E 4.32 5.49 0.170 0.216 F 5.4 6.2 0.212 0.244 G 1.65 2.13 0.065 0.084 H - 4.5 - 0.177 J 1.0 1.4 0.040 0.055 K 10.8 11.0

 7.1. Size:112K  sirectifier
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SG20N12DT

SG20N12T, SG20N12DT Discrete IGBTs Dimensions TO-247AD Dim. Millimeter Inches Min. Max. Min. Max. A 19.81 20.32 0.780 0.800 B 20.80 21.46 0.819 0.845 C 15.75 16.26 0.610 0.640 E G=Gate, C=Collector, D 3.55 3.65 0.140 0.144 C(TAB) C E=Emitter,TAB=Collector G E 4.32 5.49 0.170 0.216 F 5.4 6.2 0.212 0.244 G 1.65 2.13 0.065 0.084 H - 4.5 - 0.177 J 1.0 1.4 0.040 0.055 K 10.8 11.0

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