SG20N12DT Todos los transistores

 

SG20N12DT - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SG20N12DT
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 90 pF
   Paquete / Cubierta: TO247AD
     - Selección de transistores por parámetros

 

SG20N12DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  sirectifier
 sg20n12dt.pdf pdf_icon

SG20N12DT

SG20N12T, SG20N12DTDiscrete IGBTsDimensions TO-247AD Dim. Millimeter InchesMin. Max. Min. Max.A 19.81 20.32 0.780 0.800B 20.80 21.46 0.819 0.845C 15.75 16.26 0.610 0.640EG=Gate, C=Collector,D 3.55 3.65 0.140 0.144C(TAB)CE=Emitter,TAB=CollectorGE 4.32 5.49 0.170 0.216F 5.4 6.2 0.212 0.244G 1.65 2.13 0.065 0.084H - 4.5 - 0.177J 1.0 1.4 0.040 0.055K 10.8 11.0

 7.1. Size:112K  sirectifier
 sg20n12t.pdf pdf_icon

SG20N12DT

SG20N12T, SG20N12DTDiscrete IGBTsDimensions TO-247AD Dim. Millimeter InchesMin. Max. Min. Max.A 19.81 20.32 0.780 0.800B 20.80 21.46 0.819 0.845C 15.75 16.26 0.610 0.640EG=Gate, C=Collector,D 3.55 3.65 0.140 0.144C(TAB)CE=Emitter,TAB=CollectorGE 4.32 5.49 0.170 0.216F 5.4 6.2 0.212 0.244G 1.65 2.13 0.065 0.084H - 4.5 - 0.177J 1.0 1.4 0.040 0.055K 10.8 11.0

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IGW75N60H3 | BSM100GAR120DN2 | DM2G75SH6N | HGTD6N40E1S | HGTP7N60A4 | NGD15N41A | SHDG1025

 

 
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