SG25S12T Todos los transistores

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SG25S12T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SG25S12T

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 313

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.35

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 46

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 40

Capacitancia de salida (Cc), pF: 160

Empaquetado / Estuche: TO247AD

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SG25S12T Datasheet (PDF)

1.1. sg25s12t.pdf Size:104K _igbt

SG25S12T
SG25S12T

SG25S12T, SG25S12DT Discrete IGBTs Dimensions TO-247AD Dim. Millimeter Inches Min. Max. Min. Max. A 19.81 20.32 0.780 0.800 B 20.80 21.46 0.819 0.845 C 15.75 16.26 0.610 0.640 E G=Gate, C=Collector, D 3.55 3.65 0.140 0.144 C(TAB) C E=Emitter,TAB=Collector G E 4.32 5.49 0.170 0.216 F 5.4 6.2 0.212 0.244 G 1.65 2.13 0.065 0.084 H - 4.5 - 0.177 J 1.0 1.4 0.040 0.055 K 10.8 11.0

3.1. sg25s12dt.pdf Size:104K _igbt

SG25S12T
SG25S12T

SG25S12T, SG25S12DT Discrete IGBTs Dimensions TO-247AD Dim. Millimeter Inches Min. Max. Min. Max. A 19.81 20.32 0.780 0.800 B 20.80 21.46 0.819 0.845 C 15.75 16.26 0.610 0.640 E G=Gate, C=Collector, D 3.55 3.65 0.140 0.144 C(TAB) C E=Emitter,TAB=Collector G E 4.32 5.49 0.170 0.216 F 5.4 6.2 0.212 0.244 G 1.65 2.13 0.065 0.084 H - 4.5 - 0.177 J 1.0 1.4 0.040 0.055 K 10.8 11.0

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