SHSMG1009 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SHSMG1009
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 300 pF
Paquete / Cubierta: SHD-6
Búsqueda de reemplazo de SHSMG1009 - IGBT
SHSMG1009 Datasheet (PDF)
shsmg1009.pdf
SENSITRONSHD724401 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 1006, REV. - Formerly part number SHSMG1009 600 VOLT, 40 AMP IGBT DEVICE HIGH SPEED, IMPROVED SCSOA ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT IGBT SPECIFICATIONS Collector to Emitter Breakdown Voltage BVCES 600 - - VIC
shsmg1010.pdf
SENSITRONSHD739601SEMICONDUCTORTECHNICAL DATADATA SHEET 2049, REV. -Formerly part number SHSMG10101000 VOLT, 50 AMP IGBT DEVICEHIGH SPEED, LOW VCE IGBTELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITPARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITIGBT SPECIFICATIONSCollector to Emitter Breakdown VoltageBVCES 1000 - - VIC = 3 mA, VG
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Liste
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