SHSMG1009 Todos los transistores

 

SHSMG1009 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SHSMG1009
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 300 pF
   Paquete / Cubierta: SHD-6
     - Selección de transistores por parámetros

 

SHSMG1009 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  sensitron
 shsmg1009.pdf pdf_icon

SHSMG1009

SENSITRONSHD724401 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 1006, REV. - Formerly part number SHSMG1009 600 VOLT, 40 AMP IGBT DEVICE HIGH SPEED, IMPROVED SCSOA ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT IGBT SPECIFICATIONS Collector to Emitter Breakdown Voltage BVCES 600 - - VIC

 7.1. Size:51K  sensitron
 shsmg1010.pdf pdf_icon

SHSMG1009

SENSITRONSHD739601SEMICONDUCTORTECHNICAL DATADATA SHEET 2049, REV. -Formerly part number SHSMG10101000 VOLT, 50 AMP IGBT DEVICEHIGH SPEED, LOW VCE IGBTELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITPARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITIGBT SPECIFICATIONSCollector to Emitter Breakdown VoltageBVCES 1000 - - VIC = 3 mA, VG

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: SMBH1G150US120 | SM2G75US60 | IXGM40N60 | F3L300R12ME4-B22 | APTGT200DA170D3 | IXA20PT1200LB | FD400R65KF1-K

 

 
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