F3L150R12W2H3_B11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L150R12W2H3_B11
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.35 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de F3L150R12W2H3_B11 IGBT
F3L150R12W2H3_B11 Datasheet (PDF)
f3l150r12w2h3 b11.pdf
/ Technical InformationIGBT-F3L150R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK 2 and PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRM
f3l150r12w2h3-b11.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulF3L150R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications
f3l150r07w2e3 b11.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L150R07W2E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 150A / I = 300AC nom CRMTypische Anwendungen Typic
f3l150r07w2e3-b11.pdf
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