F3L300R12ME4_B22 Todos los transistores

 

F3L300R12ME4_B22 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F3L300R12ME4_B22
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 1550
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 300
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.75
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.4
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 50
   Paquete / Cubierta: MODULE

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F3L300R12ME4_B22 Datasheet (PDF)

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/ Technical InformationIGBT-F3L300R12ME4_B23IGBT-modulesEconoDUAL3 /IGBT4HE NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRM Typical Applications

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/ Technical InformationIGBT-F3L300R12ME4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 /IGBT4HE NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRM Typical Applications

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulF3L300R12ME4_B23IGBT-ModuleEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-L

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R12ME4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3

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