F3L300R12ME4_B22 Todos los transistores

 

F3L300R12ME4_B22 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F3L300R12ME4_B22

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1550 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Encapsulados: MODULE

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F3L300R12ME4_B22 datasheet

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F3L300R12ME4_B22

Technische Information / Technical Information IGBT-Modul F3L300R12ME4_B23 IGBT-Module EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-L

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F3L300R12ME4_B22

Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L300R12ME4_B22 IGBT-modules EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3

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History: IXGP10N60A | IXGM40N60 | F3L300R12ME4_B23

 

 

 

 

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