F3L300R12PT4_B26 Todos los transistores

 

F3L300R12PT4_B26 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F3L300R12PT4_B26
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1650 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

F3L300R12PT4_B26 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1060K  infineon
f3l300r12pt4 b26.pdf pdf_icon

F3L300R12PT4_B26

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R12PT4_B26IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTCEconoPACK4 module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary Data V = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications

 5.1. Size:626K  infineon
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F3L300R12PT4_B26

F3L300R12MT4P_B23EconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface MaterialV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications 3-

 5.2. Size:629K  infineon
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F3L300R12PT4_B26

F3L300R12MT4P_B22EconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface MaterialV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications 3-

 5.3. Size:637K  infineon
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F3L300R12PT4_B26

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulF3L300R12ME4_B23IGBT-ModuleEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-L

Otros transistores... F3L150R12W2H3_B11 , F3L15R12W2H3_B27 , F3L200R07PE4 , F3L200R12W2H3_B11 , F3L300R12ME4_B22 , F3L300R12ME4_B23 , F3L300R12MT4_B22 , F3L300R12MT4_B23 , IRGP4062D , F3L400R07ME4_B22 , F3L400R07ME4_B23 , F3L400R07PE4_B26 , F3L400R12PT4_B26 , F3L75R07W2E3_B11 , F3L75R12W1H3_B27 , F3L80R12W1H3_B11 , F4-100R06KL4 .

History: 2PG006 | CM2400HC-34H

 

 
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