F3L300R12PT4_B26 Todos los transistores

 

F3L300R12PT4_B26 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F3L300R12PT4_B26

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1650 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS

Encapsulados: MODULE

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- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

F3L300R12PT4_B26 datasheet

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F3L300R12PT4_B26

Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L300R12PT4_B26 IGBT-modules EconoPACK 4 Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTC EconoPACK 4 module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications

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F3L300R12PT4_B26

F3L300R12MT4P_B23 EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications 3-

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F3L300R12PT4_B26

F3L300R12MT4P_B22 EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications 3-

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F3L300R12PT4_B26

Technische Information / Technical Information IGBT-Modul F3L300R12ME4_B23 IGBT-Module EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-L

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History: F3L100R12W2H3-B11 | OST25N65FMF | OST30N65HMF | F3L300R12ME4-B22

 

 

 

 

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