F4-50R06W1E3 Todos los transistores

 

F4-50R06W1E3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F4-50R06W1E3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 225 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

F4-50R06W1E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:761K  infineon
f4-50r06w1e3.pdf pdf_icon

F4-50R06W1E3

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-50R06W1E3IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCV = 600VCESI = 50A / I = 100AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters I

 7.1. Size:1145K  infineon
f4-50r07w2h3 b51.pdf pdf_icon

F4-50R06W1E3

/ Technical InformationIGBT- F4-50R07W2H3_B51IGBT-ModuleEasyBRIDGE CoolMOS and PressFIT / NTCEasyBRIDGE module with CoolMOS and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 650VCESI = 50A / I = 100AC nom CRM Typical Applications

 8.1. Size:424K  infineon
f4-50r12ks4.pdf pdf_icon

F4-50R06W1E3

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-50R12KS4IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 70C, T = 150C I 50 AC vj max C nomContinuous DC collector cur

 8.2. Size:892K  infineon
f4-50r12ks4 b11.pdf pdf_icon

F4-50R06W1E3

/ Technical InformationIGBT-F4-50R12KS4_B11IGBT-modulesEconoPACK2 IGBT pressfitNTCEconoPACK2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 50A / I = 100AC nom CRM Typ

Otros transistores... F3L75R07W2E3_B11 , F3L75R12W1H3_B27 , F3L80R12W1H3_B11 , F4-100R06KL4 , F4-100R12KS4 , F4-150R12KS4 , F4-200R06KL4 , F4-30R06W1E3 , FGH40N60UFD , F4-50R07W2H3_B51 , F4-50R12KS4 , F4-50R12KS4_B11 , F4-50R12MS4 , F4-75R06W1E3 , F4-75R07W2H3_B51 , F4-75R12KS4 , F4-75R12KS4_B11 .

History: BSM400GA120DLC | DF160R12W2H3_B11 | MG100Q2YS50 | ISL9V2040S3S | APT45GP120B2DF2 | MMG75S120B6C

 

 
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