F4-50R06W1E3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F4-50R06W1E3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 225 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
F4-50R06W1E3 Datasheet (PDF)
f4-50r06w1e3.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-50R06W1E3IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCV = 600VCESI = 50A / I = 100AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters I
f4-50r07w2h3 b51.pdf

/ Technical InformationIGBT- F4-50R07W2H3_B51IGBT-ModuleEasyBRIDGE CoolMOS and PressFIT / NTCEasyBRIDGE module with CoolMOS and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 650VCESI = 50A / I = 100AC nom CRM Typical Applications
f4-50r12ks4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-50R12KS4IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 70C, T = 150C I 50 AC vj max C nomContinuous DC collector cur
f4-50r12ks4 b11.pdf

/ Technical InformationIGBT-F4-50R12KS4_B11IGBT-modulesEconoPACK2 IGBT pressfitNTCEconoPACK2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 50A / I = 100AC nom CRM Typ
Otros transistores... F3L75R07W2E3_B11 , F3L75R12W1H3_B27 , F3L80R12W1H3_B11 , F4-100R06KL4 , F4-100R12KS4 , F4-150R12KS4 , F4-200R06KL4 , F4-30R06W1E3 , FGH40N60UFD , F4-50R07W2H3_B51 , F4-50R12KS4 , F4-50R12KS4_B11 , F4-50R12MS4 , F4-75R06W1E3 , F4-75R07W2H3_B51 , F4-75R12KS4 , F4-75R12KS4_B11 .
History: BSM400GA120DLC | DF160R12W2H3_B11 | MG100Q2YS50 | ISL9V2040S3S | APT45GP120B2DF2 | MMG75S120B6C
History: BSM400GA120DLC | DF160R12W2H3_B11 | MG100Q2YS50 | ISL9V2040S3S | APT45GP120B2DF2 | MMG75S120B6C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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