F4-75R07W2H3_B51 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F4-75R07W2H3_B51
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 16 nS
Encapsulados: MODULE
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F4-75R07W2H3_B51 datasheet
f4-75r07w2h3 b51.pdf
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History: FD600R12KF4 | FD1000R17IE4D_B2
History: FD600R12KF4 | FD1000R17IE4D_B2
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