F4-75R12KS4_B11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F4-75R12KS4_B11
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de F4-75R12KS4_B11 - IGBT
F4-75R12KS4_B11 Datasheet (PDF)
f4-75r12ks4 b11.pdf
/ Technical InformationIGBT-F4-75R12KS4_B11IGBT-modulesEconoPACK2 IGBT pressfitNTCEconoPACK2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRM Typ
f4-75r12ks4.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R12KS4IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 65C, T = 150C I 75 AC vj max C nomContinuous DC collector cur
f4-75r12ks4-b11.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R12KS4_B11IGBT-modulesEconoPACK2 Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten und PressFIT / NTCEconoPACK2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
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Liste
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