FB20R06KL4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FB20R06KL4
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 80
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 20
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.95
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 23
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de FB20R06KL4 - IGBT
FB20R06KL4 Datasheet (PDF)
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFB20R06KL4IGBT-ModulesVorlufigPreliminaryElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesDiode Gleichrichter/ Diode RectifierPeriodische Rckw. SpitzensperrspannungTvj =25C VRRM 800 Vrepetitive peak reverse voltageDurchlastrom Grenzeffektivwert pro ChipTC =80
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/ Technical InformationIGBT-FB20R06W1E3_B11IGBT-modulesEasyPIM /IGBT3 NTCEasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCV = 600VCESI = 20A / I = 40AC nom CRM Typical Applications Auxiliar
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFB20R06W1E3_B11IGBT-modulesEasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTCEasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCV = 600VCESI = 20A / I = 40AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFB20R06W1E3IGBT-modulesEasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTCEasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 600VCESI = 20A / I = 40AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfs
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