FD1000R17IE4D_B2 Todos los transistores

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FD1000R17IE4D_B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FD1000R17IE4D_B2

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 6250

Tensión colector-emisor (Vce): 1700

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1000

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 100

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: MODULE

Búsqueda de reemplazo de FD1000R17IE4D_B2 - IGBT

 

FD1000R17IE4D_B2 Datasheet (PDF)

1.1. fd1000r17ie4d b2.pdf Size:879K _igbt_a

FD1000R17IE4D_B2
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テクニカルインフォメーション / Technical Information IGBT-モジュール FD1000R17IE4D_B2 IGBT-modules PrimePACK™3 モジュール and NTCサーミスタ PrimePACK™3 module and NTC 暫定データ / Preliminary Data V = 1700V CES I = 1000A / I = 2000A C nom CRM 一般応用 Typical Applications • 3レベル アプリケーション • 3-Level-Applications

1.2. fd1000r17ie4.pdf Size:858K _igbt_a

FD1000R17IE4D_B2
FD1000R17IE4D_B2

テクニカルインフォメーション / Technical Information IGBT-モジュール FD1000R17IE4 IGBT-modules PrimePACK™3 モジュール and NTCサーミスタ PrimePACK™3 module and NTC 暫定データ / Preliminary Data V = 1700V CES I = 1000A / I = 2000A C nom CRM 一般応用 Typical Applications • 3レベル アプリケーション • 3-Level-Applications •

3.1. fd1000r33hl3-k.pdf Size:414K _igbt_a

FD1000R17IE4D_B2
FD1000R17IE4D_B2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FD1000R33HL3-K IGBT-modules IHM-B Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode V = 3300V CES I = 1000A / I = 2000A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications • Chopper-Anwendungen • Chopper Applications • Mittelspannungs

3.2. fd1000r33he3-k.pdf Size:950K _igbt_a

FD1000R17IE4D_B2
FD1000R17IE4D_B2

技术信息 / Technical Information IGBT-模块 FD1000R33HE3-K IGBT-modules IHM-B 模块 采用第三代高速沟槽栅/场终止IGBT和第三代发射极控制二极管 IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode V = 3300V CES I = 1000A / I = 2000A C nom CRM 典型应用 Typical Applications • 斩波应用 • Chopper Applications • 中压变

Otros transistores... FB10R06KL4G , FB15R06KL4B1 , FB15R06W1E3 , FB20R06KL4 , FB20R06W1E3 , FB20R06W1E3_B11 , FB30R06W1E3 , FD1000R17IE4 , IRG4PC40W , FD1000R33HE3-K , FD1000R33HL3-K , FD1200R17KE3-K , FD1200R17KE3-K_B2 , FD1400R12IP4D , FD200R12KE3 , FD200R12PT4_B6 , FD250R65KE3-K .

 


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