FD300R06KE3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FD300R06KE3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 940 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
FD300R06KE3 Datasheet (PDF)
fd300r06ke3.pdf

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fd300r07pe4 b6.pdf

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fd300r07pe4-b6.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD300R07PE4_B6IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCEconoPACK4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications An
fd300r12ks4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD300R12KS4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten 62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching Vorlufige DatenIGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25
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History: STGWA30IH65DF | IXGR50N160H1
History: STGWA30IH65DF | IXGR50N160H1



Liste
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