FD800R17KF6C_B2 Todos los transistores

 

FD800R17KF6C_B2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FD800R17KF6C_B2

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 6250 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 800 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 140 nS

Encapsulados: MODULE

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FD800R17KF6C_B2 datasheet

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FD800R17KF6C_B2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FD800R17KF6C_B2 IGBT-modules 1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2.ten Generation und softer Emitter Controlled Diode 1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft Emitter Controlled Diode Vorl ufige Daten IGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper Preliminary Data H chstzul ssige Werte / Maximum Rated V

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FD800R17KF6C_B2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FD800R17KE3_B2 IGBT-modules Vorl ufige Daten IGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper Preliminary Data H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1700 V vj CES Collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T = 80 C, T = 150 C I 800 A C vj max C nom Continuous DC col

 5.2. Size:682K  infineon
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FD800R17KF6C_B2

/ Technical Information IGBT- FD800R17KE3_B2 IGBT-modules IGBT, - / IGBT, Brake-Chopper Preliminary Data / Maximum Rated Values T = 25 C V 1700 V vj CES Collector-emitter voltage T = 80 C, T = 150 C I 800 A C vj max C nom Continuous DC collector current T = 25

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