FF200R12KT3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KT3_EIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit gemeinsamen Emitter 62mm C-series module with common emitter Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor

/ Technical InformationIGBT-FF200R12KT3IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode 62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode IGBT- / IGBT,Inverter / Maximum Rated Values

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KT3_EIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit gemeinsamen Emitter 62mm C-series module with common emitter Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KT4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und optimierter Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and optimized Emitter Controlled diode Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated V

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KS4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switchingV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Appli

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KE3IGBT-modulesIGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 200 AC vj max C nomContinuous DC collector current T = 25C, T = 150C I 295 A

FF200R12KS4P62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten und bereits aufgetragenemThermal Interface Material62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and pre-applied Thermal InterfaceMaterialV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Anwendungen fr Resonanz Umrichter Reso

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF200R12KE4PIGBT-Module62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und bereitsaufgetragenem Thermal Interface Material62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and pre-appliedThermal Interface MaterialVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VC

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KE4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESColle