FF200R12KT3_E Todos los transistores

 

FF200R12KT3_E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FF200R12KT3_E
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1050 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

FF200R12KT3_E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  infineon
ff200r12kt3 e.pdf pdf_icon

FF200R12KT3_E

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KT3_EIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit gemeinsamen Emitter 62mm C-series module with common emitter Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor

 3.1. Size:429K  infineon
ff200r12kt3-e.pdf pdf_icon

FF200R12KT3_E

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KT3_EIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit gemeinsamen Emitter 62mm C-series module with common emitter Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor

 3.2. Size:623K  infineon
ff200r12kt3.pdf pdf_icon

FF200R12KT3_E

/ Technical InformationIGBT-FF200R12KT3IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode 62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode IGBT- / IGBT,Inverter / Maximum Rated Values

 4.1. Size:467K  infineon
ff200r12kt4.pdf pdf_icon

FF200R12KT3_E

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KT4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und optimierter Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and optimized Emitter Controlled diode Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated V

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IXBT20N360HV | RGT8NS65D | RGT8BM65D | APT35GN120B | MMIX1X200N60B3 | OST50N65HF-D

 

 
Back to Top

 


 
.