FF300R07KE4 Todos los transistores

 

FF300R07KE4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FF300R07KE4
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 940 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 57 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

FF300R07KE4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:664K  infineon
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FF300R07KE4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF300R07KE4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode62mm C-Series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled DiodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichte

 6.1. Size:711K  infineon
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FF300R07KE4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF300R07ME4_B11IGBT-ModuleEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCEconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 650VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hybrid-Nutzfahrzeuge Commercial Agric

 6.2. Size:912K  infineon
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FF300R07KE4

/ Technical InformationIGBT-FF300R07ME4_B11IGBT-ModuleEconoDUAL3 / IGBT4 and diode andNTCEconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 650VCESI = 300A / I = 600AC

 7.1. Size:462K  infineon
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FF300R07KE4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF300R06KE3IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled3 Diode 62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 600 Vvj CESColle

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History: SKM200GAL123DKLD110

 

 
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