FF100R12YT3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FF100R12YT3
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 445 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
FF100R12YT3 Datasheet (PDF)
ff100r12yt3.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF100R12YT3IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 100 AC vj max C nomContinuous DC collector cu
ff100r12rt4.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF100R12RT4IGBT-modules34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode34mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 100A / I = 200AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrich
ff100r12ks4.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF100R12KS4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switchingV = 1200VCESI = 100A / I = 200AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Appli
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History: IRGS4630DPBF
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