FF100R12YT3 Todos los transistores

 

FF100R12YT3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FF100R12YT3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 445 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS

Encapsulados: MODULE

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FF100R12YT3 datasheet

 ..1. Size:446K  infineon
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FF100R12YT3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF100R12YT3 IGBT-modules Vorl ufige Daten IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary Data H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V vj CES Collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T = 80 C, T = 150 C I 100 A C vj max C nom Continuous DC collector cu

 6.1. Size:586K  infineon
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FF100R12YT3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF100R12RT4 IGBT-modules 34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode 34mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 100A / I = 200A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrich

 6.2. Size:627K  infineon
ff100r12ks4.pdf pdf_icon

FF100R12YT3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF100R12KS4 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 f r hochfrequentes Schalten 62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching V = 1200V CES I = 100A / I = 200A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Appli

 6.3. Size:295K  cn marching-power
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FF100R12YT3

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History: FF1200R17KE3

 

 

 


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