FF1200R17KP4_B2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FF1200R17KP4_B2
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 6250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 190 nS
Encapsulados: MODULE
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FF1200R17KP4_B2 datasheet
ff1200r17kp4 b2.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Modul FF1200R17KP4_B2 IGBT-Module IHM-A Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 3 Diode IHM-A module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diode V = 1700V CES I = 1200A / I = 2400A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High Power Converters Mittelspannu
ff1200r17kp4-b2.pdf
FF1200R17KP4_B2 IHM-A / IGBT4 IHM-A module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diode V = 1700V CES I = 1200A / I = 2400A C nom CRM Potential Applications Medium voltage converters High power converters Tract
ff1200r17ke3 b2.pdf
/ Technical Information IGBT- FF1200R17KE3_B2 IGBT-modules IGBT- / IGBT,Inverter Preliminary Data / Maximum Rated Values T = 25 C V 1700 V vj CES Collector-emitter voltage DC T = 80 C, T = 150 C I 1200 A C vj max C n
ff1200r17ke3.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF1200R17KE3 IGBT-modules Vorl ufige Daten IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary Data H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1700 V vj CES Collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T = 80 C, T = 150 C I 1200 A C vj max C nom Continuous DC collector
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History: FF100R12YT3 | FF1200R17KE3
History: FF100R12YT3 | FF1200R17KE3
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