FF150R12YT3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FF150R12YT3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de FF150R12YT3 - IGBT
FF150R12YT3 Datasheet (PDF)
ff150r12yt3.pdf
/ Technical InformationIGBT-FF150R12YT3IGBT-modulesIGBT, / IGBT,Inverter Preliminary Data / Maximum Rated ValuesT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltage T = 80C, T = 150C I 150 AC vj max C nomContinuous DC collector current T = 25C, T = 150C I
ff150r12ks4 b2.pdf
/ Technical InformationIGBT-FF150R12KS4_B2IGBT-modules62mm C-Series IGBT62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switchingV = 1200VCESI = 150A / I = 300AC nom CRM Typical Applications High Frequency Switching Application
ff150r12ks4.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF150R12KS4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switchingV = 1200VCESI = 150A / I = 300AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Appli
ff150r12ms4g.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF150R12MS4GIGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten EconoDUAL3 module with fast IGBT2 for high switching frequency Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 120
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF150R12ME3GIGBT-modulesEconoDUAL Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und High Efficiency Diode EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-S
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF150R12KT3GIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode 62mm C-series module with the fast trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitt
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF150R12RT4IGBT-modules34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode34mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 150A / I = 300AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hoh
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF150R12KE3GIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode 62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-Sperrspannun
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Liste
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