BSM50GP120 Todos los transistores

 

BSM50GP120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSM50GP120

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 360 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.55 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS

Encapsulados: MODULE

 Búsqueda de reemplazo de BSM50GP120 IGBT

- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BSM50GP120 datasheet

 ..1. Size:179K  eupec
bsm50gp120.pdf pdf_icon

BSM50GP120

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM50GP120 IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / Electrical properties H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische R ckw. Spitzensperrspannung VRRM 1600 V repetitive peak reverse voltage Durchla strom Grenzeffektivwert IFRMSM 40 A RMS forward current per chip Dauerg

 7.1. Size:212K  eupec
bsm50gp60g.pdf pdf_icon

BSM50GP120

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM50GP60G IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / Electrical properties H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische R ckw. Spitzensperrspannung VRRM 1600 V repetitive peak reverse voltage Durchla strom Grenzeffektivwert IFRMSM 40 A RMS forward current per chip Dauerg

 7.2. Size:138K  eupec
bsm50gp60.pdf pdf_icon

BSM50GP120

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM50GP60 IGBT-Modules Modul Isolation/ Module Isolation Isolations-Pr fspannung RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV insulation test voltage NTC connected to Baseplate Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Du

 8.1. Size:334K  siemens
bsm50gal100d bsm50gb100d.pdf pdf_icon

BSM50GP120

Otros transistores... BSM50GB60DLC , BSM50GD120DLC , BSM50GD120DN2 , BSM50GD120DN2E3226 , BSM50GD120DN2G , BSM50GD170DL , BSM50GD60DLC , BSM50GD60DLC_E3226 , BT40T60ANF , BSM50GP60 , SKM450GB12E4 , SKM50GAL12T4 , SKM50GB12T4 , SKM50GB12V , SKM600GA12E4 , SKM600GA12T4 , SKM600GA12V .

 

 

 


🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores

IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE

 

 

 

Popular searches

c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet

 

 

↑ Back to Top
.