SKM50GB12V Todos los transistores

 

SKM50GB12V - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM50GB12V
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 79 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 300 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 540 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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SKM50GB12V Datasheet (PDF)

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SKM50GB12V

SKM50GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 79 ATj = 175 CTc =80C 60 AICnom 50 AICRM ICRM = 3xICnom 150 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 2tpsc VGE 15 V Tj = 125 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 65 ATj = 175 CSKM50GB12VTc =80C 49 AIFnom 50 ATarget Da

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SKM50GB12V

SKM50GB12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 81 ATj = 175 CTc =80C 62 AICnom 50 AICRM ICRM = 3xICnom 150 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS2tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 65 ATj = 175 CSKM50GB12T4Tc =80C 49 A

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SKM50GB12V

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SKM50GB12V

SKM50GB063DAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 600 VIC Tc =25C 70 ATj = 150 CTc =75C 51 AICnom 50 AICRM ICRM = 2xICnom 100 AVGES -20 ... 20 VVCC = 300 VSEMITRANS 2tpsc VGE 20 V Tj = 125 C 10 sVCES 600 VTj -55 ... 150 CSuperfast NPT-IGBT Inverse diodeModulesIF Tc =25C 75 ATc =80C 45 ASKM50GB0

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History: DIM250PLM33-TS

 

 
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