SII150N12 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SII150N12
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 210 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1600 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
SII150N12 Datasheet (PDF)
sii150n12.pdf

SII150N12NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values Units1200VCES VIC 210(150) TC= 25(80)oC AICRM 420(300) TC= 25(80)oC, tP =1ms A_VGES+20 VPtot 1250 W_o_TVj,(Tstg) TOPERATION
sii150n06.pdf

SII150N06NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values UnitsIGBT Wechselrichter/ IGBT InverterVCES 600 VIC 180(150) TC= 25(60)oC AICRM 300 TC= 60oC, tP =1ms APtotTC= 25oC, Tvj= 150oC 595 W_VGES +20VDiode Wechselrichter/ Diode Inverter IF 150 AIFRM300 tP =1ms A2VR
psii15-12.pdf

ECO-PACTM 2IGBT Module PSII 15/12* IC25 = 18 APreliminary Data Sheet VCES = 1200 VVCE(sat)typ.= 2.3 VS9X18L9 N9N5 R5W14A5 D5H5A1C1 K10F3G1PSII 15/12*K13 K12IGBTs*NTC optionalSymbol Conditions Maximum RatingsVCES TVJ = 25C to 150C 1200 VVGES 20 VIC25 TC = 25C 18 AIC80 TC = 80C 14 AICM VGE = 15 V; RG = 82 ; TVJ = 125C 20 AVCEK R
Otros transistores... SKM600GA12T4 , SKM600GA12V , SKM600GA176D , SKM600GB066D , SKM600GB126D , SII100N06 , SII100N12 , SII150N06 , CRG60T60AN3H , SII200N06 , SII200N12 , SII300N06 , SII50N06 , SII75N06 , SII75N12 , MMIX1B15N300C , MMIX1B20N300C .
History: IXGH48N60A3 | APT33GF120B2RD | 4MBI400VG-060R-50 | SM2G100US60 | NGTG25N120FL2 | NCE40ER65BT | FGPF4565
History: IXGH48N60A3 | APT33GF120B2RD | 4MBI400VG-060R-50 | SM2G100US60 | NGTG25N120FL2 | NCE40ER65BT | FGPF4565



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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