FGT312 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGT312
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 35 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 130 pF
Paquete / Cubierta: TO-220F
- Selección de transistores por parámetros
FGT312 Datasheet (PDF)
fgm603 fgt312 fgt313 fgt412 fgt612.pdf

2-3 IGBTSelection GuideSelection GuideBy VCESVCES IC PCPart Number Package (V) (A) (W)330 20 35 FGT312 TO220F(FM20)330 30 35 FGT313 TO220F(FM20)400 20 35 FGT412 TO220F(FM20)600 20 35 FGT612 TO220F(FM20)600 25 60 FGM622S TO3PF(FM100)600 30 60 FGM603 TO3PF(FM100)600 30 60 FGM623S TO3PF(FM100)600 50 150 MGD623N TO3P(MT100)600 50 150 MGD623S TO3P(MT100)Transistors 15
Otros transistores... GT50JR22 , RJP30H2A , FGA60N65SMD , FGA6065ADF , FGA6560WDF , FGH30S130P , GT40WR21 , FGM603 , IRG4PC40W , FGT313 , FGT412 , FGT612 , 2PG001 , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES .
History: FGH60N60UFD | GT40J121 | STGWT40V60DLF | IHY20N135R3 | IRG4PC30W | IKP15N60T | AOK50B60D1
History: FGH60N60UFD | GT40J121 | STGWT40V60DLF | IHY20N135R3 | IRG4PC30W | IKP15N60T | AOK50B60D1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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