FGT313 Todos los transistores

 

FGT313 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FGT313

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 35 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 110 pF

Encapsulados: TO-220F

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FGT313 datasheet

 ..1. Size:464K  sanken-ele
 fgm603 fgt312 fgt313 fgt412 fgt612.pdf pdf_icon

FGT313

2-3 IGBT Selection Guide Selection Guide By VCES VCES IC PC Part Number Package (V) (A) (W) 330 20 35 FGT312 TO220F(FM20) 330 30 35 FGT313 TO220F(FM20) 400 20 35 FGT412 TO220F(FM20) 600 20 35 FGT612 TO220F(FM20) 600 25 60 FGM622S TO3PF(FM100) 600 30 60 FGM603 TO3PF(FM100) 600 30 60 FGM623S TO3PF(FM100) 600 50 150 MGD623N TO3P(MT100) 600 50 150 MGD623S TO3P(MT100) Transistors 15

Otros transistores... RJP30H2A , FGA60N65SMD , FGA6065ADF , FGA6560WDF , FGH30S130P , GT40WR21 , FGM603 , FGT312 , TGD30N40P , FGT412 , FGT612 , 2PG001 , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 .

History: RGT80TS65D | RGT8BM65D

 

 

 


 
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