FGT612 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGT612
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 35 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 80 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 35 nC
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de FGT612 - IGBT
FGT612 Datasheet (PDF)
fgm603 fgt312 fgt313 fgt412 fgt612.pdf
2-3 IGBTSelection GuideSelection GuideBy VCESVCES IC PCPart Number Package (V) (A) (W)330 20 35 FGT312 TO220F(FM20)330 30 35 FGT313 TO220F(FM20)400 20 35 FGT412 TO220F(FM20)600 20 35 FGT612 TO220F(FM20)600 25 60 FGM622S TO3PF(FM100)600 30 60 FGM603 TO3PF(FM100)600 30 60 FGM623S TO3PF(FM100)600 50 150 MGD623N TO3P(MT100)600 50 150 MGD623S TO3P(MT100)Transistors 15
Otros transistores... FGA6065ADF , FGA6560WDF , FGH30S130P , GT40WR21 , FGM603 , FGT312 , FGT313 , FGT412 , IRG4PC40W , 2PG001 , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES .
History: SKW30N60 | GT20D201
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2