JNG25N120HS Todos los transistores

 

JNG25N120HS - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JNG25N120HS

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 220

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.2

Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

Corriente del colector DC máxima (Ic): 45

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 35

Capacitancia de salida (Cc), pF: 210

Empaquetado / Estuche: TO247

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JNG25N120HS Datasheet (PDF)

..1. jng25n120hs.pdf Size:569K _jiaensemi

JNG25N120HS
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JNG25N120HS JNG25N120HS IGBT Features 1200V,25A VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=25A High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology General Description JIAEN NPT IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application such as IH (induction heating),UPS, general invert

Otros transistores... 2PG001 , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , RJP63K2DPK-M0 , SSG60N60N , PDMB100E6 , SL40N60FL , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD , STGF7NC60KD .

 

 
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