JNG25N120HS - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JNG25N120HS

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 220

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.2

Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

Corriente del colector DC máxima (Ic): 45

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 35

Capacitancia de salida (Cc), pF: 210

Empaquetado / Estuche: TO247

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JNG25N120HS Datasheet (PDF)

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JNG25N120HS JNG25N120HS IGBT Features 1200V,25A VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=25A High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology General Description JIAEN NPT IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application such as IH (induction heating),UPS, general invert

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