JNG25N120HS - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JNG25N120HS

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 220

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.2

Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

Corriente del colector DC máxima (Ic): 45

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 35

Capacitancia de salida (Cc), pF: 210

Empaquetado / Estuche: TO247

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JNG25N120HS Datasheet (PDF)

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JNG25N120HS JNG25N120HS IGBT Features  1200V,25A  VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=25A  High speed switching  Higher system efficiency  Soft current turn-off waveforms  Square RBSOA using NPT technology General Description JIAEN NPT IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application such as IH (induction heating),UPS, general invert

Otros transistores... 2PG001 , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , IRG4BC30W , SSG60N60N , PDMB100E6 , SL40N60FL , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD , STGF7NC60KD .