JNG25N120HS - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JNG25N120HS
Polaridad de transistor: N-Channel
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 220
Tensión colector-emisor (Vce): 1200
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.2
Tensión emisor-compuerta (Veg): 30
Corriente del colector DC máxima (Ic): 45
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
Tiempo de elevación: 35
Capacitancia de salida (Cc), pF: 210
Empaquetado / Estuche: TO247
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JNG25N120HS Datasheet (PDF)
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JNG25N120HS JNG25N120HS IGBT Features 1200V,25A VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=25A High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology General Description JIAEN NPT IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application such as IH (induction heating),UPS, general invert
Otros transistores... 2PG001 , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , RJP63K2DPK-M0 , SSG60N60N , PDMB100E6 , SL40N60FL , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD , STGF7NC60KD .



Liste
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