1MBI30L-060 Todos los transistores

 

1MBI30L-060 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1MBI30L-060
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 120 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

1MBI30L-060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:822K  fuji
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1MBI30L-060

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. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by . ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by . ./ 8(017)200-56-46

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1MBI30L-060

IGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Improved FWD Characteristic Minimized Internal Stray Inductance Overcurrent Limiting Function (4~5 Times Rated Current)n Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power

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History: APT12GT60KRG | MPBP15N65EF | IKW40N65H5 | IKD10N60RA | IRGPS66160D | 1MBI3600U4D-120 | RGTH80TS65D

 

 
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