1MBI400L-120 Todos los transistores

 

1MBI400L-120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1MBI400L-120
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2600 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

1MBI400L-120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  fuji
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1MBI400L-120

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1MBI400L-120

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1MBI400L-120

IGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Improved FWD Characteristic Minimized Internal Stray Inductance Overcurrent Limiting Function (4~5 Times Rated Current)n Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power

 7.2. Size:267K  fuji
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1MBI400L-120

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/1MBI400V-120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 400A / 1 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyIndustrial machines, such as Welding machinesMaximum Ratings and Charact

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History: MPFF50R12RB | APT50GT60BRDLG | SL75T120FZ

 

 
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