1MBI600V-120-50 Todos los transistores

 

1MBI600V-120-50 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 1MBI600V-120-50

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 3000 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 720 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 250 nS

Encapsulados: MODULE

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1MBI600V-120-50 datasheet

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1MBI600V-120-50

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 1MBI600V-120-50 IGBT Modules IGBT MODULE (V series) 1200V / 600A / 1 in one package Features High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure Applications Inverter for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier Uninterruptible Power Supply Industrial machines, such as Welding machines Maximum Ratings and Charact

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1MBI600V-120-50

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1MBI600V-120-50

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 1MBI600U4B-120 MS5F 6062 S.Miyashita Mar. 09 05 T.Miyasaka Y.Seki Mar. 09 05 1 MS5F6062 13 K.Yamada 4 4 .

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1MBI600V-120-50

SPECIFICATION IGBT MODULE Device Name 1MBI600U4-120 Type Name MS5F 6040 Spec. No. S.Miyashita Feb. 15 05 T.Miyasaka Y.Seki Feb. 15 05 1 MS5F6040 13 K.Yamada H04-004-07b R e v i s e d R e c o r d s Classi- Applied Date Ind. Content Drawn Checked Checked Approved fication date Issued Feb.-15 - 05 T.Miyasaka K.Yamada Enactment Y.Seki date 2 MS5F6040 13 H04-

Otros transistores... 1MBI600LP-060 , 1MBI600NN-060 , 1MBI600NP-060 , 1MBI600PX-120 , 1MBI600PX-140 , 1MBI600S-120 , 1MBI600U4-120 , 1MBI600U4B-120 , IRG4PC50U , 1MBI75L-060 , 1MBI800U4B-120 , 1MBI800UG-330 , 1MBI900V-120-50 , 2MBI1000VXB-170E-50 , 2MBI100HB-120-50 , 2MBI100J-120 , 2MBI100N-060 .

History: 1MBI600LP-060 | 25MT060WFAPBF

 

 

 


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