2MBI200U4D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2MBI200U4D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1040 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
2MBI200U4D Datasheet (PDF)
2mbi200u4d.pdf

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 2MBI200U4D-120 MS5F 6033 S.MiyashitaFeb. 09 05Feb. 09 05T.Miyasaka Y.Seki 1MS5F603313K.Yamada 4 4 .
2mbi200u4b-120.pdf

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 2MBI200U4B-120 MS5F 6032 S.MiyashitaFeb. 09 05T.Miyasaka Y.SekiFeb. 09 05 1MS5F603213K.Yamada 4 4 .
2mbi200u4h-120.pdf

SPECIFICATIONIGBT MODULEDevice Name :2MBI200U4H-120Type Name :MS5F 6035Spec. No. :S.MiyashitaFeb. 09 05aT.Miyasaka Y.Seki1Feb. 09 05MS5F603513K.YamadaH04-004-07bR e v i s e d R e c o r d sClassi- AppliedDate Ind. Content Drawn Checked Checked Approvedfication dateIssuedFeb.-09 -05 T.Miyasaka K.YamadaY.SekiEnactmentdateRevised charact
2mbi200ub-120.pdf

2MBI200UB-1201200V / 200A 2 in one-packageIGBT Module U-SeriesEquivalent Circuit SchematicFeatures Applications High speed switching Inverter for Motor driveE2 Voltage drive AC and DC Servo drive amplifier C1 Low inductance module structure Uninterruptible power supply Industrial machines, such as Welding machinesC2E1G2 E2G1 E1Maximum ratings and chara
Otros transistores... 2MBI200NB-120 , 2MBI200NT-120-02 , 2MBI200PB-140 , 2MBI200S-120 , 2MBI200SB-120 , 2MBI200TA-060 , 2MBI200U2A-060 , 2MBI200U4B-120 , FGPF4536 , 2MBI200U4H-120 , 2MBI200UB-120 , 2MBI200UC-120 , 2MBI200VA-060-50 , 2MBI200VB-120-50 , 2MBI200VH-120-50 , 2MBI225U4N-170-50 , 2MBI225VJ-120-50 .
History: IXGH36N60B3C1 | RJH1CM5DPQ-E0 | DL2G50SH6N | MMG200DR120B | FGB3040G2-F085C | 1MB15D-060 | IXGT30N60C3D1
History: IXGH36N60B3C1 | RJH1CM5DPQ-E0 | DL2G50SH6N | MMG200DR120B | FGB3040G2-F085C | 1MB15D-060 | IXGT30N60C3D1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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