2MBI200U4H-120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2MBI200U4H-120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1040 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Encapsulados: MODULE
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2MBI200U4H-120 datasheet
2mbi200u4h-120.pdf
SPECIFICATION IGBT MODULE Device Name 2MBI200U4H-120 Type Name MS5F 6035 Spec. No. S.Miyashita Feb. 09 05 a T.Miyasaka Y.Seki 1 Feb. 09 05 MS5F6035 13 K.Yamada H04-004-07b R e v i s e d R e c o r d s Classi- Applied Date Ind. Content Drawn Checked Checked Approved fication date Issued Feb.-09 - 05 T.Miyasaka K.Yamada Y.Seki Enactment date Revised charact
2mbi200u4b-120.pdf
. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 2MBI200U4B-120 MS5F 6032 S.Miyashita Feb. 09 05 T.Miyasaka Y.Seki Feb. 09 05 1 MS5F6032 13 K.Yamada 4 4 .
2mbi200u4d.pdf
. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 2MBI200U4D-120 MS5F 6033 S.Miyashita Feb. 09 05 Feb. 09 05 T.Miyasaka Y.Seki 1 MS5F6033 13 K.Yamada 4 4 .
2mbi200ub-120.pdf
2MBI200UB-120 1200V / 200A 2 in one-package IGBT Module U-Series Equivalent Circuit Schematic Features Applications High speed switching Inverter for Motor drive E2 Voltage drive AC and DC Servo drive amplifier C1 Low inductance module structure Uninterruptible power supply Industrial machines, such as Welding machines C2E1 G2 E2 G1 E1 Maximum ratings and chara
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History: 1MBI200S-120 | 2MBI400TB-060
History: 1MBI200S-120 | 2MBI400TB-060
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