2MBI200U4H-120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2MBI200U4H-120
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1040 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de 2MBI200U4H-120 IGBT
2MBI200U4H-120 Datasheet (PDF)
2mbi200u4h-120.pdf

SPECIFICATIONIGBT MODULEDevice Name :2MBI200U4H-120Type Name :MS5F 6035Spec. No. :S.MiyashitaFeb. 09 05aT.Miyasaka Y.Seki1Feb. 09 05MS5F603513K.YamadaH04-004-07bR e v i s e d R e c o r d sClassi- AppliedDate Ind. Content Drawn Checked Checked Approvedfication dateIssuedFeb.-09 -05 T.Miyasaka K.YamadaY.SekiEnactmentdateRevised charact
2mbi200u4b-120.pdf

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 2MBI200U4B-120 MS5F 6032 S.MiyashitaFeb. 09 05T.Miyasaka Y.SekiFeb. 09 05 1MS5F603213K.Yamada 4 4 .
2mbi200u4d.pdf

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 2MBI200U4D-120 MS5F 6033 S.MiyashitaFeb. 09 05Feb. 09 05T.Miyasaka Y.Seki 1MS5F603313K.Yamada 4 4 .
2mbi200ub-120.pdf

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History: IRGP4066D-EPBF | RJH60F5BDPQ-A0 | IXGX32N170AH1
History: IRGP4066D-EPBF | RJH60F5BDPQ-A0 | IXGX32N170AH1



Liste
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