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2MBI200U4H-120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2MBI200U4H-120

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1040 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS

Encapsulados: MODULE

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2MBI200U4H-120 datasheet

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2MBI200U4H-120

SPECIFICATION IGBT MODULE Device Name 2MBI200U4H-120 Type Name MS5F 6035 Spec. No. S.Miyashita Feb. 09 05 a T.Miyasaka Y.Seki 1 Feb. 09 05 MS5F6035 13 K.Yamada H04-004-07b R e v i s e d R e c o r d s Classi- Applied Date Ind. Content Drawn Checked Checked Approved fication date Issued Feb.-09 - 05 T.Miyasaka K.Yamada Y.Seki Enactment date Revised charact

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2MBI200U4H-120

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 2MBI200U4B-120 MS5F 6032 S.Miyashita Feb. 09 05 T.Miyasaka Y.Seki Feb. 09 05 1 MS5F6032 13 K.Yamada 4 4 .

 5.2. Size:1030K  fuji
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2MBI200U4H-120

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 2MBI200U4D-120 MS5F 6033 S.Miyashita Feb. 09 05 Feb. 09 05 T.Miyasaka Y.Seki 1 MS5F6033 13 K.Yamada 4 4 .

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2MBI200U4H-120

2MBI200UB-120 1200V / 200A 2 in one-package IGBT Module U-Series Equivalent Circuit Schematic Features Applications High speed switching Inverter for Motor drive E2 Voltage drive AC and DC Servo drive amplifier C1 Low inductance module structure Uninterruptible power supply Industrial machines, such as Welding machines C2E1 G2 E2 G1 E1 Maximum ratings and chara

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History: 1MBI200S-120 | 2MBI400TB-060

 

 

 


History: 1MBI200S-120 | 2MBI400TB-060

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