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2MBI450U4N-170-50 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2MBI450U4N-170-50

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2080 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 390 nS

Encapsulados: MODULE

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2MBI450U4N-170-50 datasheet

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2MBI450U4N-170-50

2MBI450U4N-170-50 IGBT Modules IGBT MODULE (U series) 1700V / 450A / 2 in one package Features High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure Applications Inverter for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier Uninterruptible Power Supply Industrial machines, such as Welding machines Maximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings (at Tc=25 C un

 2.1. Size:1496K  fuji
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2MBI450U4N-170-50

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2MBI450U4N-170-50

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e mail minsk17@tut.by SPECIFICATION IGBT Module Device Name (RoHS compliant product) 2MBI450U4J-120-50 Type Name MS5F 6858 Spec. No. H.Kaneda May 24 07 T.Miyasaka S.Miyashita May 24 07 1 MS5F6858 15 K.Yamada H04-004-07b

 5.2. Size:423K  fuji
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2MBI450U4N-170-50

SPECIFICATION IGBT MODULE Device Name 2MBI450U4E-120 Type Name MS5F 6057 Spec. No. S.Miyashita Mar. 09 05 T.Miyasaka Y.Seki Mar. 09 05 1 MS5F6057 13 K.Yamada H04-004-07b R e v i s e d R e c o r d s Classi- Applied Date Ind. Content Drawn Checked Checked Approved fication date Issued T.Miyasaka Mar.-09 - 05 Enactment K.Yamada Y.Seki date 2 MS5F6057 13 H0

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