BSM150GB60DLC - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSM150GB60DLC
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 595 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 180 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 28 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
BSM150GB60DLC Datasheet (PDF)
bsm150gb60dlc.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 150 GB 60 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 600 Vcollector-emitter voltageTc= 60C IC,nom. 150 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTc= 25C IC 180 APeriodischer Kollektor Spitzenstrom
bsm150gb60dlc.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 150 GB 60 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 600 Vcollector-emitter voltageTc= 60C IC,nom. 150 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTc= 25C IC 180 APeriodischer Kollektor Spitzenstrom
bsm150gb120dlc.pdf

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM150GB120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstro
bsm150gb170dlc.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 150 GB 170 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1700 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 150 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 300 APeriodischer Kollektor Spitzen
Otros transistores... BSM10GP60 , BSM150GAL120DLC , BSM150GAL120DN2 , BSM150GAR120DN2 , BSM150GB120DLC , BSM150GB120DN2 , BSM150GB170DLC , BSM150GB170DN2 , CRG40T60AK3HD , BSM150GD60DLC , BSM15GD120DN2 , BSM15GP120 , BSM15GP60 , BSM200GA120DLC , BSM200GA120DLCS , BSM200GA120DN2 , BSM200GA120DN2S .
History: ISL9V5036P3 | IXGH40N60B2D1 | FF200R12KE4 | 6MBP25VBA120-50 | IKZ75N65EH5 | AUIRG4BC30S-S | SKM400GA124D
History: ISL9V5036P3 | IXGH40N60B2D1 | FF200R12KE4 | 6MBP25VBA120-50 | IKZ75N65EH5 | AUIRG4BC30S-S | SKM400GA124D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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