BSM15GD120DN2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSM15GD120DN2  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 145 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF

Encapsulados: MODULE

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BSM15GD120DN2 datasheet

 ..1. Size:261K  eupec
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BSM15GD120DN2

BSM 15 GD 120 DN2 IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 15 GD 120 DN2 1200V 25A ECONOPACK 2 C67076-A2504-A67 BSM 15 GD120DN2E3224 1200V 25A ECONOPACK 2K C67070-A2504-A67 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1

 8.1. Size:163K  eupec
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BSM15GD120DN2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM15GP120 IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / Electrical properties H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische R ckw. Spitzensperrspannung VRRM 1600 V repetitive peak reverse voltage Durchla strom Grenzeffektivwert IFRMSM 40 A RMS forward current per chip Dauerg

 8.2. Size:160K  eupec
bsm15gp60.pdf pdf_icon

BSM15GD120DN2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM15GP60 IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / Electrical properties H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische R ckw. Spitzensperrspannung VRRM 1600 V repetitive peak reverse voltage Durchla strom Grenzeffektivwert IFRMSM 40 A RMS forward current per chip Dauergle

 9.1. Size:125K  infineon
bsm150gb60dlc.pdf pdf_icon

BSM15GD120DN2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM 150 GB 60 DLC IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 600 V collector-emitter voltage Tc= 60 C IC,nom. 150 A Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Tc= 25 C IC 180 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom

Otros transistores... BSM150GAL120DN2, BSM150GAR120DN2, BSM150GB120DLC, BSM150GB120DN2, BSM150GB170DLC, BSM150GB170DN2, BSM150GB60DLC, BSM150GD60DLC, RJH30E2DPP, BSM15GP120, BSM15GP60, BSM200GA120DLC, BSM200GA120DLCS, BSM200GA120DN2, BSM200GA120DN2S, BSM200GA170DLC, BSM200GA170DN2