BSM15GD120DN2 Todos los transistores

 

BSM15GD120DN2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSM15GD120DN2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 145 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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BSM15GD120DN2 PDF specs

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BSM15GD120DN2

BSM 15 GD 120 DN2 IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 15 GD 120 DN2 1200V 25A ECONOPACK 2 C67076-A2504-A67 BSM 15 GD120DN2E3224 1200V 25A ECONOPACK 2K C67070-A2504-A67 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1... See More ⇒

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BSM15GD120DN2

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BSM15GD120DN2

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BSM15GD120DN2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM 150 GB 60 DLC IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 600 V collector-emitter voltage Tc= 60 C IC,nom. 150 A Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Tc= 25 C IC 180 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom... See More ⇒

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