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BSM75GB170DN2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSM75GB170DN2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 110 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.4 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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BSM75GB170DN2 PDF specs

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BSM75GB170DN2

BSM 75 GB 170 DN2 IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate RG on,min = 22 Ohm Type VCE IC Package Ordering Code BSM 75 GB 170 DN2 1700V 110A HALF-BRIDGE 1 C67070-A2702-A67 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1700 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k 1700 Ga... See More ⇒

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BSM75GB170DN2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM75GB120DLC IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung Tvj= 25 C VCES 1200 V collector-emitter voltage TC = 80 C IC,nom. 75 A Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 25 C IC 170 A Periodischer Kollektor Sp... See More ⇒

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BSM75GB170DN2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM 75 GB 60 DLC IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 600 V collector-emitter voltage Tc= 75 C IC,nom. 75 A Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Tc= 25 C IC 100 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom ... See More ⇒

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History: DIM800XSM45-TS

 

 
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