BSM75GB170DN2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSM75GB170DN2  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.4 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1000 pF

Encapsulados: MODULE

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BSM75GB170DN2 datasheet

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BSM75GB170DN2

BSM 75 GB 170 DN2 IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate RG on,min = 22 Ohm Type VCE IC Package Ordering Code BSM 75 GB 170 DN2 1700V 110A HALF-BRIDGE 1 C67070-A2702-A67 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1700 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k 1700 Ga

 6.1. Size:139K  eupec
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BSM75GB170DN2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM75GB120DLC IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung Tvj= 25 C VCES 1200 V collector-emitter voltage TC = 80 C IC,nom. 75 A Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 25 C IC 170 A Periodischer Kollektor Sp

 6.2. Size:207K  eupec
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BSM75GB170DN2

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BSM75GB170DN2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM 75 GB 60 DLC IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 600 V collector-emitter voltage Tc= 75 C IC,nom. 75 A Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Tc= 25 C IC 100 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom

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