CM100DU-24F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM100DU-24F
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 500
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 50
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 1700
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 1100
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de CM100DU-24F - IGBT
CM100DU-24F Datasheet (PDF)
cm100n03.pdf
RCM100N03 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 30V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 USP 2 3
scm1001.pdf
SENSITRON SCM1001 SEMICONDUCTOR Technical Data DATASHEET 5284, Rev. B Three-Phase IGBT BRIDGE with BRAKE IGBT Three-Phase Input BRIDGE with INRUSH SCR DESCRIPTION: 1200 VOLT, 150 AMP, THREE PHASE IGBT BRIDGE UPPER & LOWER REGENERATIVE BRAKE IGBT SWITCHES USE OF LATEST 4TH GENERATION IGBT AND DIODE TO MINIMIZE TOTAL LOSSES 1200 VOLT, 25 AMP BRAKE IGBT 12
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Liste
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