CM100TU-24F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM100TU-24F
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1700 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
CM100TU-24F Datasheet (PDF)
cm100tu-24f.pdf

CM100TU-24FPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignSix IGBTMOD100 Amperes/1200 VoltsJT (4 TYP.)KS - NUTS (5 TYP)KRCMN PP GUP EUP GVP EVP GWP EWPL N L N LB EQMGUN EUN GVN EVN GWN EWNTC TC MEASURING MEASURINGU V WPOINT POINTDescription:J JPowerex IGBTMOD ModulesLLLare designe
cm100tu-12f.pdf

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History: IRG4BC20KD-S | IXGH30N60B | IKW50N65WR5 | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | MMG15CB120XB6TC | IRG7PH35UD1M
History: IRG4BC20KD-S | IXGH30N60B | IKW50N65WR5 | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | MMG15CB120XB6TC | IRG7PH35UD1M



Liste
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IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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