CM1200DB-34N Todos los transistores

 

CM1200DB-34N - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM1200DB-34N
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 6900
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1700
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 1200
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.15
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 400
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 9600
   Paquete / Cubierta: MODULE

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CM1200DB-34N Datasheet (PDF)

 9.1. Size:126K  jdsemi
cm120n06.pdf

CM1200DB-34N
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RCM120N06 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 60V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 USP 2 3

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