CM150DU-12H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM150DU-12H
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 350 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 7200 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 300 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de CM150DU-12H - IGBT
CM150DU-12H Datasheet (PDF)
cm150du-12h.pdf
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cm150dy-12h.pdf
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Liste
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