CM1800HC-34N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM1800HC-34N  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 10000 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1800 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.15 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 14400 pF

Encapsulados: MODULE

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CM1800HC-34N datasheet

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CM1800HC-34N

CM1800HC-34N Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Single IGBTMOD HVIGBT Module 1800 Amperes/1700 Volts A DD U K (4 TYP) 42 F B V C E 3 1 Description Powerex IGBTMOD Modules C are designed for use in switching E G M (3 TYP) applications. Each module consists W of one IGBT Transistor in a reverse-connected super-fast L

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CM1800HC-34N

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM1800HC-34H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM1800HC-34H IC ................................................................ 1800A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate Soft Reverse Recover

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CM1800HC-34N

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CM1800HC-34N

CM1800DY-34S Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Dual Half-Bridge www.pwrx.com IGBT HVIGBT Series Module 1800 Amperes/1700 Volts A AN AS AP AQ H (12 PLACES) X AR G Y E2 G2 C2 F J (18 PLACES) F P L S E2 E2 L C2E1 D V C B C2E1 C1 C1 AA L L K Q AV K K T E FW AB F G1 E1 C1 P U R AW F AT AU AD N M (8 PLACES) AC

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