CM400DY-12H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM400DY-12H
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1500 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 14000 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
CM400DY-12H Datasheet (PDF)
cm400dy-12h.pdf

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cm400dy-66h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM400DY-66HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM400DY-66H IC...................................................................400A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind
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History: AOB30B65LN2V | APTGT75DA120D1 | MMG200D120B6TC
History: AOB30B65LN2V | APTGT75DA120D1 | MMG200D120B6TC



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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