CM400DY-12H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM400DY-12H  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1500 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 14000 pF

Encapsulados: MODULE

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CM400DY-12H datasheet

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CM400DY-12H

MITSUBISHI IGBT MODULES CM400DY-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE A B F F G P C2E1 E2 C1 J C D P Description K Mitsubishi IGBT Modules are de- R Q - M6 THD signed for use in switching applica- N - DIA. (3 TYP.) (4 TYP.) tions. Each module consists of two IGBTs in a half-bridge configuration TAB#110 t=0.5 M L with each transistor having a re- M verse-connect

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CM400DY-12H

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CM400DY-12H

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CM400DY-12H

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM400DY-66H HIGH POWER SWITCHING USE HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM400DY-66H IC...................................................................400A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 2-elements in a pack APPLICATION Inverters, Converters, DC choppers, Ind

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